Номер детали производителя : | S4D R6G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S4D R6G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S4D R6G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S4D R6G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220AC
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB